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S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学 Near IR 感度抑制

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中国 ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. 認証
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S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学 Near IR 感度抑制

S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学  Near IR 感度抑制
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大画像 :  S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学 Near IR 感度抑制

商品の詳細:
起源の場所: 日本
ブランド名: Hamamatsu
モデル番号: S1226-8BQ
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: 交渉可能
パッケージの詳細:
受渡し時間: 3-5work幾日
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、送金サービス
供給の能力: 3000pcs/pre

S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学 Near IR 感度抑制

説明
撮影エリアは: 5.8 × 5.8mm ピクセル数: 1
冷蔵庫と: 冷却されていない 内部に閉じ込められる: メタル
カプセル型は: TO-8 逆電圧 (最大): 5V
ハイライト:

S1226-8BQの赤外線光電センサー

,

赤外線光電センサーの精密測光

,

Uのタイプ光電センサー

製品説明:

S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学 Near IR 感度抑制

特徴:

● 高紫外線 感受性:QE=75% (λ=200nm)

● NIR の 感受性を 抑制 する

● 暗黒 の 低 電流

● 高い 信頼性

暗黒電流 (最大) 20 pA

上昇時間 (典型的な値)2 ミュス

交差点容量 (典型的な値) 1200 pF

測定条件 Ta=25°C,タイプ,別記がない限り,光敏感性: λ=720nm,ダーク電流: VR=10mV,端電容量:VR=0 V,f=10 kHz

仕様:

逆電圧 (最大) 5V
光谱応答範囲は 190~1000nm
ピーク感度波長 (典型的な値) は 720nm
タイプ 赤外線光電

S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学  Near IR 感度抑制 0

S1226-8BQ シリコン光二極子 紫外線から可視な精度光学  Near IR 感度抑制 1

連絡先の詳細
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xu

電話番号: 86+13352990255

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