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G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失

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G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失

G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失
G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失 G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失

大画像 :  G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失

商品の詳細:
起源の場所: 日本
ブランド名: Hamamatsu
モデル番号: G8370-81
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: 交渉可能
パッケージの詳細:
受渡し時間: 3-5work幾日
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、送金サービス
供給の能力: 2000PCS/月

G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失

説明
光敏感領域は: φ1.0mm ピクセル数: 1
内部に閉じ込められる: メタル カプセル型は: TO-18
冷却モード: 冷却されていない 光谱応答範囲は: 0.9〜1.7 μm
ハイライト:

G8370-81赤外線光電センサー

,

赤外線光電センサー低いPDL

,

InGaAs PINフォトダイオード

製品説明:

G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失

 

特徴:

低PDL (偏振依存損失)

InGaAs PIN 光二極管 G8370-81 は,PDL (偏振依存損失) が低く,シッター抵抗が高く,ノイズが非常に低い1.55微分数

製品の特徴

低PDL (偏振依存損失)

● 低騒音,低暗電流

● 広い 撮影 場

● 光感受性 の 領域:φ1 mm

騒音相当電源 (典型値) 2×10〜14 W/hz1/2

測定条件 TYP.TA =25°C,光敏感性: λ=λp,ダーク電流: VR=1 V,切断周波数:VR=1 V,RL=50ω, -3 dB,端末容量: VR=1 V, F=1 MHz,別記がない限り

 

仕様:

ピーク感度波長 (典型的な値) は 1.55 μm
感度 (典型値) 1.1 A/W
暗黒電流 (最大) 5 nA
切断頻度 (典型値) 35 MHz
交差点容量 (典型値) 90 pF
騒音相当電源 (典型値) 2×10-14 W/hz1/2

G8370-81 InGaAs PIN フォトダイオード 低PDL偏光依存性損失 0

連絡先の詳細
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xu

電話番号: 86+13352990255

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