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S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度 逆電圧 VR Max 5V

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S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度 逆電圧 VR Max 5V

S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度 逆電圧 VR Max 5V
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大画像 :  S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度 逆電圧 VR Max 5V

商品の詳細:
起源の場所: 日本
モデル番号: S1227-66BR
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
パッケージの詳細: 標準梱包
受渡し時間: 5-8workingdays
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウエスタンユニオン、MoneyGram
供給の能力: 1000

S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度 逆電圧 VR Max 5V

説明
パッケージ: 8.9×10.1mm 作用面積のサイズ: 5.8×5.8mm
逆ボルテVRマックス。: 5V 動作温度: -20~+60℃
保管温度: -20~+80℃
ハイライト:

S1227-66BR Siフォトダイオード、高UV感度Siフォトダイオード、5V UVフォトダイオードセンサ

,

High UV Sensitivity Si Photodiode

,

5V UV Photodiode Sensor

S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度

 

特徴:
高UV感度: QE 75%(入=200nm)
IR感度を抑制
低暗電流

 

アプリケーション:
分析機器
光計測器

 

データシート:

スペクトル応答範囲 320~1000nm
ピーク感度波長 720nm
暗電流最大 20pA
温度 1.12
立ち上がり時間 2μS

 

S1227-66BR Siフォトダイオード 高UV感度 IR感度 逆電圧 VR Max 5V 0

連絡先の詳細
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xu

電話番号: 86+13352990255

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